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BSB028N06NN3GXUMA1 Datasheet技术文件下载

BSB028N06NN3GXUMA1产品参数和技术文档

BSB028N06NN3GXUMA1产品图

BSB028N06NN3GXUMA1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
5,000
1.02781
$5,139.06

BSB028N06NN3GXUMA1产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 22A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M™
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 102µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
143nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
12000pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.2W(Ta),78W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
MG-WDSON-2,CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
标准包装
5,000
其它名称
BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3 G-ND BSB028N06NN3 GTR-ND BSB028N06NN3G BSB028N06NN3GXUMA1TR SP000605956
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: BL8560-XPRC BMI-S-105 B72220S140K101 BC848BE6433HTMA1 BS62LV4008EC-70 BT6LH-L B43252F2277M000 BZD27C130P-GS08 BFC246828684 BS814A-2

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