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BSC025N03LS Datasheet技术文件下载

BSC025N03LSGATMA1产品参数和技术文档

BSC025N03LS产品图

BSC025N03LSGATMA1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
5,000
0.54191
$2,709.57

BSC025N03LSGATMA1产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
74nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
标准包装
5,000
其它名称
BSC025N03LS G BSC025N03LSG BSC025N03LSGATMA1TR BSC025N03LSGINTR BSC025N03LSGINTR-ND BSC025N03LSGXT SP000269781
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • BSC025N03LS
  • 深圳市金煌鑫科技有限公司销售二部

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