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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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BSS139H6327产品参数
型号:BSS139H6327
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.05
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A
最大漏极电流 (ID):0.1 A
最大漏源导通电阻:30 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):3.3 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.36 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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