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DN2540N3产品参数
型号:DN2540N3
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH INPUT IMPEDANCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (ID):0.12 A
最大漏源导通电阻:25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pF
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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