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FCPF9N60NTYDTU Datasheet技术文件下载

FCPF9N60NTYDTU产品参数和技术文档

FCPF9N60NTYDTU产品图

FCPF9N60NTYDTU产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
800
2.50901
$2,007.21

FCPF9N60NTYDTU产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
制造商
ON Semiconductor
系列
SupreMOS™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
385 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
29nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1240pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
29.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3(Y 型)
封装/外壳
TO-220-3 全封装,成形引线
标准包装
800
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • FCPF9N60NTYDTU
  • 深圳市腾迈科技有限公司

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  • ON Semiconductor 
  • 18+ 
  • 80000 
  • TO-220-3, Formed Leads 
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  • 6-17 
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产品索引: F152K39S3NN63J5R FRDM-MC-LVBLDC FS8853-20CC F931A476KAA FGA60N60 F1806D FD322 FTR-B4SB4.5Z FM810LP3X FS3UM10

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