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FQDP047N08AD Datasheet技术文件下载

FQE10N20CTU产品参数和技术文档

FQDP047N08AD产品图

FQE10N20CTU产品参考价格

FQE10N20CTU产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述:
通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 12.8W(Tc) TO-126
制造商
ON Semiconductor
系列
QFET®
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
360 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
26nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
510pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
12.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-126
封装/外壳
TO-225AA,TO-126-3
标准包装
1,920
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: FP6808 FDSLCX86 FCC20162AATP F4019BPC3N FRS300BA FL009140 FREQROL FS12TM-5 FCM1005MF-121T00 FPV160808G240PKT

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

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