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HAT2266H-EL-E产品参数和技术文档

HAT2200WP产品图

HAT2266H-EL-E产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
1.23191
$3,079.77

HAT2266H-EL-E产品参数

品牌:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 23W(Tc) LFPAK
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
25nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3600pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
23W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
LFPAK
封装/外壳
SC-100,SOT-669
标准包装
2,500
其它名称
HAT2266H-EL-E-ND HAT2266H-EL-ETR
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: HCPL-2601-520E HAT2285WP HEF4086BD HEF4512BD HMHAA280R3 HEF4082BD HLMP-1700L HSMA-C197 HCPL2631WV HITJ0302MP

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

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