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  LM358为何烧得惨不忍睹?(图2) 

楼主:LM358为何烧得惨不忍睹?(图2)
作者:wangwz  2005-9-14 20:44:00

  回复1  输出加一个电阻吧!电压也太高了吧!476365

输出加一个电阻吧!电压也太高了吧!
作者:怪小龙  2005-9-15 14:15:00

  回复2  输出加一个电阻吧!476366

这个电路实现什么功能,上电延时开灯?闪烁行不通.观注!


作者:jianguoid  2005-9-15 15:32:00

  回复3  lm385-3脚和R1之间加个1M的大电阻476367

lm385-3脚和R1之间加个1M的大电阻
作者:lhkjg  2005-9-15 16:21:00

  回复4  原理分析476368

原理分析:

上电瞬间,电容C1会使U1-2脚暂时处在一个较低电位,而U1-3脚会在一个较高电位,因此U1-1脚会输出一个高电位,Q1不导通。C1会充电使U1-2脚电压上升,当U1-2电压高过U1-3时,U1-1输出低电平,Q1导通,L1亮,此时C1通过R3放电,一定时间后,电压U1-2<U1-3,U1-1又输出低,如此反复,灯会闪烁。

U1-1和MOS管栅极有一个电阻的,我漏画了。

此电路偶有烧LM358,且烧得很难看。各位高人给分析分析,会是甚么原因。


作者:wangwz  2005-9-15 19:01:00

  回复5  我觉得要把L摞到Q1的漏极好一点476369

我觉得要把L摞到Q1的漏极好一点


作者:yzmyj  2005-9-15 19:05:00

  回复6  图中楼主用的是N沟道的MOS管476370

L应该接在漏极与电源之间。LM358毫无疑问是振荡器用法。

怀疑L的感性比较强,L接到漏极与电源之间后,加续流二极管试试。按你图中的接法,MOS管应该很热才对,因为我觉得开关得不够彻底,好像有点接近线性区


作者:qjy_dali  2005-9-15 21:26:00

  回复7  闪烁的频率可控制吗?476371

振荡时间是怎样得到的?是靠运放的迟滞性?我没这么用过LM358,请问楼主效果怎样?盼复!


作者:jianguoid  2005-9-16 9:14:00

  回复8  MOSFETL什么型号,M385能驱动M它吗?476372

MOSFETL什么型号,M385能驱动M它吗?一般在LM385的输出和MOS的G之间加一个33Ω的电阻。


作者:cby981541  2005-9-16 17:27:00

  回复9  MOSFET应是P沟道的476373

不好意思,MOSFET应是P沟道的,我凭记忆又画错了。

yzmyj和qjy_dali分析的不错。

这个电路用在机器的闪烁报警灯上,灯泡是10W。充放电回路由R3和C1串联组成,而且占空比可调,由R1和R2的比值决定。频率由R3和C1决定。MOSFET选30W以上的,一点都不发热的。


作者:wangwz  2005-9-16 19:03:00

  回复10  在上板的时候你那个MOS管子加上散热的.476374

在上板的时候你那个MOS管子加上散热的.

这样会好一点.


作者:陈双君  2005-9-17 9:08:00

  回复11  如果是PMOS的话,感觉S-G的电压太大了476375

运放的输出接个2K的电阻,然后到G,S-G之间接个12V的稳压二极管。特别注意,LM358的电源滤波要好点,别连个基本的电容都没有。虽然可能你不会犯这样菜的错误,但这也可以是一种原因。以前我们在用LM7805的时候,输入没有电容,结果7805工作着就慢慢冒烟,最后裂开。


作者:qjy_dali  2005-9-17 9:47:00

  回复12  楼主的图是否还有错?476376

楼主的图是否还有错?是否1、3脚之间还有电阻,你这样接3脚电压固定还振的起来,高频吧?


作者:jianguoid  2005-9-17 10:31:00

  回复13  楼上说的对,从原理上讲,反相滞回比较器加RC可以形成振荡器476377

而运放构成的滞回比较器必须由正反馈构成

烧的原因可能是高频振荡


作者:oldzhang  2005-9-17 11:12:00

  回复14  可能在358输出为低时有点问题476378

358输出为低时,电容C1是从358的输出管脚往片子里灌放电电流,是不是这个电流的原因??


作者:sjl2006  2005-9-20 19:15:00

  回复15  R1、R2的阻值?IC供电24V电源是否稳压?476379

R1、R2的阻值?IC供电24V电源是否稳压?
作者:quanwang86  2005-9-20 23:03:00

  回复16  mosfet接个限流不就得了!476380

mosfet接个限流不就得了!
作者:linwei1234  2005-9-21 7:58:00

  回复17  电路改进476381

首先请问在烧毁lm358时mos管有没有损坏。根据电路来看此电路中使用的是n-mos管,一般此中管的栅极承受电压不能太高,我分析烧毁lm358的原因可能是lm358输出电压太高(会接近24v)造成n-mos管击穿了,将电源通过栅极引入lm358的1端而烧毁的,解决的办法应将lm358输出断传一个电阻,在n-mos管栅极对地接一只稳压二极管,具体稳压值的大要看你使用的mos管来决定,一般在10v左右.


作者:zhangb4262  2005-9-21 10:22:00

  回复18  需要这样修改。。。476382

首先,总体电路的设计思路是很好的,因为不知道你所选用的MOS管的型号,所以不能确定+24V的Vgs电压是否过高。但这不是问题的关键。LM358烧毁的主要原因是:C1的存在中断了U1的交流负反馈通路,由于温飘和一些不确定因数引起U1自激,只需对电路稍做修改即可。


作者:ybm  2005-9-21 10:47:00

  回复19  Ly\应该接在MOS上面,才行476383

Ly\应该接在MOS上面,才行
作者:mlh203242  2005-9-21 12:24:00

  回复20  电源高吗?476384

电源高吗?
作者:renyilove  2005-9-21 14:50:00

  回复21  24V将GS击穿了!476385

GS一般最大承受20V电压。GS击穿后,24V直接加在了358输出端


作者:sharks  2005-9-21 20:55:00

  回复22  为什么不用555?还便宜。476386

为什么不用555?还便宜。
作者:sharks  2005-9-21 20:58:00

  回复23  LM358N芯片本身就不好有问题.476387

LM358N芯片本身就不好有问题,还有就是电源不稳定。还有些建议请参考,R1与R2的电阻选大一点在100K左右,R3用1M以上、电容C1用10NF左右,根据你自己要的参数来调配。


作者:yzqok  2005-9-22 8:40:00

  回复24  给R2并联一个电容476388

给R2并联一个电容
作者:笨人  2005-9-22 9:42:00

  回复25  电路肯定不稳定476389

电路肯定不稳定,电路会在输入的R1,R2分压输入附近振,充放电回路由R3和C1串联组成可能使自己的想法,实际上是不太可能


作者:yongli_j  2005-9-22 11:56:00

  回复26  楼上的说过了476390

一定要在运放1、3间加正反馈的电阻才行。

不然只是寄生自激振荡,运放不烧才怪。


作者:puking  2005-9-22 12:06:00

  回复27  将C1值调整以下试试476391

将C1值调整以下试试
作者:mike_tang  2005-9-22 13:02:00

  回复28  补充一下,U1和Q1之间是否要加点元件呢476392

补充一下,U1和Q1之间是否要加点元件呢
作者:mike_tang  2005-9-22 13:04:00

  回复29  GS一般最大承受20V电压。GS击穿后,24V直接加在了358输出端476393

支持以上观点。


作者:杨真人  2005-9-22 14:27:00

  回复30  你看看他的工作电压是多少啊,好象超出了他的上限476394

你看看他的工作电压是多少啊,好象超出了他的上限
作者:mousetft  2005-9-22 14:44:00

  回复31  如果芯片输出电压有24v那mos管可能被击穿476395

如果芯片输出电压有24v那mos管可能被击穿
作者:zyp898989  2005-9-22 22:33:00

  回复32  输出端串一个限流电阻就可以了476396

你在324的1脚输出端串一个限流电阻就可以了。


作者:wgmschh  2005-9-23 2:01:00

  回复33  是!电压太高了!476397

是!电压太高了!
作者:75131421  2005-9-23 10:16:00

  回复34  将电路改为如下:476398

将电路改为如下:

个人观点:烧的原因还是因为mos管驱动电压〉20v,所以加了15v稳压与1k限流!

你的振荡肯定不工作,因为你这个是跟随!!所以加了13脚间的电阻。但这不是烧的原因。

网友观点-电源也加了滤波。

不好意思:稳压管接反了!!


作者:sun0_liang  2005-9-23 10:46:00

  回复35  电压太高476399

电压高了


作者:dahai279  2005-9-23 22:32:00

  回复36  LM358,不能单电源24V476400

LM358,不能单电源24V
作者:VICTORYMAY  2005-9-24 15:21:00

  回复37  楼主,这个电路能振么?476401

楼主,这个电路能振么?
作者:hschina  2005-9-24 15:26:00

  回复38  我认为476402

我认为 输入电压是不是高了点啊


作者:上下求索  2005-9-24 15:54:00

  回复39  电路有什么用的?我看不出来!476403

此电路忽略R1,R2分压的话,就是一个典型的电流放在电路了,它没有电压放在能力,请问有什么用的呢?本人想请教一下


作者:331505878  2005-9-24 16:48:00

  回复40  工作电压不对啊476404

工作电压不对啊
作者:shuguang05  2005-9-24 19:42:00

  回复41  LM358工作电压30V,供电应该没问题!问题在于358输出可把MOS损坏476405

一般MOS管的门极电压为±20V,一旦MOS管门极的输入电压输入过高

MOS管被损坏,24V电压反灌到358 1脚,又由于358 本身特性和2.3脚

的控制参数原因,1脚输出会低于24V,产生电势差358当然要损坏!

分析不知是否合理请大家指正!


作者:phoebe  2005-9-25 0:56:00

  回复42  其实很简单476406

这个电路的运放LM358烧掉是可以想见的。因为运放LM358的最大输出电流大约10MA左右,超过就容易损坏。在电路刚上电时,R1、R2分压24V,给运放正输入端建立一个参考点电压,而运放负输入端由于电容C1的(充电)作用使电压处于远低于正端参考点电压。因此,运放的输出电压是正饱和输出22V(24V-2V),并直接推动MOSFET管的G极,而MOSFET管的S极为0V。因为MOSFET管的G极和S极之间有一个等效电容,越几百至几千pF(MOSFET管的功率越大等效电容越大)。故在此期间,运放的输出端几乎是被瞬间短路,其损耗功率极大并超过了允许极限,导致运放烧毁。

解决办法很简单,只要在运放的输出端与MOSFET管的G极间串一个电阻即可。电阻的大小,可以根据运放的正饱和输出电压除以运放最大输出电流(取一个安全系数)来估算。如:R=22V/(10MA x 0.7)=3.14(kΩ),取3kΩ 。


作者:joywyc  2005-9-25 2:40:00

  回复43  输出电流太大,没有限流476407

我以前也遇到过,输出加限流10K就可以了,也可能要更大,我是用来驱动三极管。


作者:玛瑙  2005-9-25 20:03:00

  回复44  U1,12脚之间不可以加个保护二极管吗476408

U1,12脚之间不可以加个保护二极管吗
作者:itol242  2005-9-27 20:42:00

  回复45  MOS管门极加电阻476409

MOS管门极加电阻
作者:王学珠  2005-9-28 17:22:00

  回复46  一点建议476410

你在设计电路的时候,尤其要注意的是LM358的最大吸收电流,也就是灌电流,如果此电流过大,必然会是芯片烧掉的啦


作者:电  2005-9-29 1:07:00

  回复47  还是换个有意义的电路吧476411

大家都谈了因为没有限流电阻,不错,但我有个小小的看法:请间上面电路有没有实用的地方。


作者:MINGYU40  2005-9-29 13:48:00

  回复48  为什么不用现成的比较器476412

为什么不用现成的比较器
作者:XUMAX  2005-9-29 14:10:00

  回复49  运放里叠加电流增加了476413

频率过高,运放里输出级上下两个三极管同时导通的时间增加,叠加电流加大。


作者:congceng  2005-9-29 16:03:00

  回复50  充电电路?476414

这个是不是给电池充电用的?把灯改为电池就可以了吧.恒流充电?应该在运放的1脚串一个电阻.


作者:pkaibin  2005-9-29 23:30:00

  回复51  用555也能闪啊476415

我觉得用555会不会更方便些呢!

我们厂的报警就用555


作者:qzfl  2005-9-29 23:47:00

  回复52  学习050930476416

学习050930
作者:音乐剑客  2005-9-30 23:51:00

  回复53  不烧不对476417

错的离谱,不想说.


作者:tangqin  2005-10-2 1:03:00

  回复54  栅极高电平,Q1不导通?到底是NMOS还是PMOS?476418

栅极高电平,Q1不导通?到底是NMOS还是PMOS?
作者:赤铸  2005-10-7 1:59:00


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