哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者？

GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。

FD- SOI 技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel 还是三星、台积电，22n 时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries 技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm 上只能继续改进平面型，20nm 上努力了一阵放弃，14nm 索性直接借用三星的。 尽管如此，GF 22nm FD-SOI 工艺也是有一些独特优势的，虽然无法制造高性能芯片，但也很适合移动计算、IoT 物联网、射频联网、网络基础架构等领域。

GlobalFoundries 宣称，该工艺功耗比28nm HKMG 降低了70%，芯片面积比28nm Bulk缩小了20%，光刻层比FinFET 工艺减少接近50%，芯片成本比16/14nm 低了20%，而且功耗超低，电压可以做到业界最低的0.4V， 并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50%。甚至，它可以提供类似FinFET 工艺的性能。哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI 的尝鲜者呢?

GF 22nm FD-SOI 工艺将于2016 年下半年在德国德累斯顿工厂投产，为此已投资2.5 亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec 等都表达了支持，将会采纳。

意法半导体CEO Jean-Marc Chery 表示：GLOBALFOUNDRIES 的FDX 平台，使用的先进FD-SOI 晶体管结构是我们长期的合作研究而来的，能满足IoT 对always-on 和低功耗的需求，以及其它功耗敏感的设备的需求。

飞思卡尔的MCU group VP Ron Martino 表示：飞思卡尔的下一代i.MX系列应用程序处理器利用FD-SOI 工艺实现低功耗。GLOBALFOUNDRIES 22FDX平台将FD-SOI 扩展到28nm 以下，对成本和功耗都带来显著优化。

ARM 物理设计部总经理Will Abbey 表示： 我们正在与LOBALFOUNDRIES 密切合作,提供客户所需的IP 生态系统，帮助他们从22FDX技术中获益。

VeriSilicon 总裁兼首席执行官戴伟民表示：VeriSilicon 已经拥有利用FD-SOI 技术实现IoTSoC 的经验，我们已经通过FD-SOI 实现超低功耗的应用。我们期待与GLOBALFOUNDRIES 在22FDX 继续合作。

Imagination TECHNOLOGIES 营销副总裁Tony King-Smith 指出：GLOBALFOUNDRIES 的22FDX与Imagination 的广泛IP 组合结合后会赋予我们共同的客户更多创新设计，这些IP包括PowerVR 多媒、MIPSCPU 和Ensigma 通信。

IBS 公司创始人兼首席执行官Handel Jones 表示，FD-SOI 技术可以提供一个多节点、低成本方案，GLOBALFOUNDRIES 的22FDX在一个低成本平台上实现了FD-SOI 技术的最低功耗。

CEA-Leti 公司首席执行官Marie-Noelle Semeria 表示，只需要对现有设计和制造方法进行微小调整，FD-SOI 就能显著改善性能和功耗。我们可以共同为相关技术提供易用的设计和制造技术。

“Soitec 首席执行官Paul Boudre 表示，对下一代的低功耗电子产品来说，这是一个关键的里程碑。作为GLOBALFOUNDRIES 的战略合作伙伴，我们的超薄SOI 衬底已经准备好应对22FDX技术量产。