三星24年蝉联DRAM存储器市占率第一 SK海力士/美光难超越

三星电子（SAMSUNG ELECTRONICS）连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率第一，为半导体产业写下新历史；2015年市占率达45.3%，营收突破200亿美元，不但刷新自身纪录，也成为存储器价格持续下跌声中，唯一还能获利的业者。

据韩媒Money Today报导，市调机构IHS资料显示，2015年三星DRAM营收为204.34亿美元，较2014年186.61亿美元成长9.5%，首次突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元，但三星营收却逆势成长。

从整年度的市占率来看，三星占45.3%创下历史新高；排名第二的SK海力士（SK Hynix）为27.7%，营收124.89亿美元，较2014年126.66亿美元减少，但市占率微幅增加。第三名美光（MICRON）的营收滑落到90.70亿美元，市占率也从24.6%下降到20%。

三星电子在1992年开发出64Mb DRAM之后，连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率第一。三星能稳坐龙头地位的关键，在于拥有竞争对手难以超越的技术差距，这也是半导体市场价格持续滑落，三星仍能维持获利的原因。

三星致力于突破微细制程的瓶颈，率先进入10纳米级DRAM量产，欲以领先的技术竞争力掌握市场。继成功开发18纳米DRAM之后，下一个目标是开发10纳米前段（1z）的DRAM技术。

业界人士表示，2015年三星采用20纳米微细制程，成功销售许多高附加价值产品。由于能生产竞争者做不到的高性能产品，即便市场情况不佳，这类产品仍能维持一定价格，受影响程度相对较小。

与DRAM同属存储器半导体的NAND Flash市场情况类似。三星借由高速、低耗电的垂直构造V NAND技术，成为2015年第4季唯一NAND Flash营业额逆势成长的业者。

相较于竞争者才刚进入21纳米量产，准备提高21纳米量产比重，主力产品仍停留在25~30纳米阶段，日前三星证实已启动18纳米8Gb DDR4 DRAM量产。因此业界认为，三星与对手的技术差距已经拉开至2年以上，在市场上一枝独秀的情况可望延续至2016年。

三星计划在2016年要将10纳米级技术用于大部分DRAM产品，并且加速研发10纳米中段（1y）与10纳米前段（1z）的新一代DRAM技术。半导体事业负责人金奇南表示，有信心成功开发10纳米前段的DRAM技术。

三星在半导体市场占有的优势，对南韩的经济发展也有很大贡献。2015年南韩半导体的出口规模为629.16亿美元，占整体出口（5，267.57亿美元）比重的11.9%。

虽然南韩的整体出口规模萎缩，但半导体类别不减反增，写下出口规模新高，是也2001年之后，存储器类别占整体出口比重最高的一次。