韩国半导体产业发展风生水起
日期：2017-7-12根据IT市场研究公司的数据，第一季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4％。 这个数字具有绝对优势，但平泽半导体厂的投产将会扩大三星公司与第二名公司之间的差距。V-NAND技术通过垂直堆叠单元来增加存储容量。虽然传统的半导体是二维的，但是新开发的半导体是三维的。目前，三星电子是世界上唯一批量生产64层V-NAND闪存芯片的公司。NAND闪存芯片的需求预计将因为其在云服务、增强现实和无人驾驶汽车等领域的使用而大幅攀升。三星电子决心在与对手的竞争中领先一步，成为名副其实的全球顶级IT公司。
正如韩国真好经济研究院李仁喆先生的介绍，三星电子公司在平泽新工厂投资了15.6万亿韩元。平泽半导体厂占地面积为289万平方米，约四百个足球场那么大，是世界上最大的单体工厂。该工厂生产最先进的64层3D NAND闪存半导体。三星电子的目标是通过大规模生产第四次工业革命核心领域的关键组成部分，进一步巩固其在半导体存储器领域的领先地位。三星电子正在为未来的半导体市场进行大规模投资，包括2021年前将对平泽工厂扩大投资14.4万亿韩元，增加更多的半导体生产线。与此同时，SK海力士希望通过收购日本的东芝公司来实现飞跃。
东芝是NAND闪存的原始开发商之一。目前，其全球市场份额排名第二。东芝在投资核电厂后遭受巨大损失，因此决定出售其半导体单元。包括美国、日本和韩国在内的公司对这桩收购都非常感兴趣，包括SK海力士在内的国际财团决定以20万亿韩元实现收购。目前SK海力士公司是第四大NAND闪存制造商，而东芝是第二大NAND闪存制造商。SK海力士公司希望收购东芝半导体部门巩固自己的地位。如果东芝半导体部门和SK海力士达成合作，那么韩国企业将能够成为NAND闪存领域的两大顶尖企业。预计这将使韩国进一步巩固其在半导体市场的地位。
6月21日，东芝选择了由美国、日本和韩国公司组成的财团，其中包括SK海力士作为公司存储业务的首选投标人。如果交易顺利的话，SK海力士将在市场竞争中具备更大的竞争优势。台湾和中国大陆等其他投标人都未被东芝接受，因为这意味着技术泄漏已经被阻止了，由于批量生产，价格有望进一步下降。韩国半导体制造商的进步不仅可以推动韩国出口领域的发展，同时也提升了行业地位。
今年上半年韩国出口增长了15％以上，其中出口增长最多的是半导体。正是因为半导体出口表现良好，整个出口领域的表现才可圈可点。英特尔是世界最大的CPU制造商，所有的PC电脑都需要英特尔的CPU芯片。但根据野村公司的分析，三星电子的销售额达到151亿美元，而英特尔在二季度的销售额为144亿美元。对于三星电子公司来说，能够超越英特尔，这是自进入该领域以来的第一次，是一个历史性的里程碑。此外，三星公司季度营业利润预计将超过120亿韩元，不仅超越了英特尔，而且超过了苹果公司。
6月份，韩国半导体制造商出口额创下了新的纪录，当月销售额超过80亿美元。第二季度，三星电子的销售额达到了60万亿韩元，营业利润达14万亿韩元。据市场观察人士介绍，这意味着三星公司第二季度销售额超过英特尔，其营业利润也高于苹果公司。英特尔在1993年推出了适用于PC电脑的奔腾CPU后，登上了半导体市场的顶峰，24年来一直保持着这个行业的王者地位。三星电子公司赶超英特尔成为行业第一，这是历史性的时刻，也是一个良好的开端，未来还需更加努力。
中国正在努力通过利用其巨大的资本实力，通过并购全球半导体公司来缩小与韩国的技术差距。事实上，中国政府最近一直在大力推动半导体行业发展。中国顶尖国有芯片制造商清华紫光集团宣布计划投资700亿美元建设3座新的半导体工厂，其中240亿美元将用于中国武汉目前正在建设的3D NAND闪存芯片厂。这比三星电子公司投资额更大，计划于2018年投产。
韩国半导体行业现在可能正在积极发展，但中国正在快速赶超。中国政府主导半导体市场，旨在每年将进口半导体成本降至300万亿韩元，同时保证就业，稳定政治环境。中国政府还宣布计划到2025年投资1万亿人民币，实现中国本土企业生产的半导体芯片比例至少达到70％。随着竞争的不断加剧，韩国需要更多的投资和技术研发来确保其地位。同时，行业对存储芯片的依赖也必须得到有效解决。
韩国在内存芯片方面处于领先地位，但在非内存或系统集成电路领域，韩国的市场份额还不到5％。专家们一致认为，如果韩国希望在半导体行业继续领跑，那么必须重视系统半导体行业的发展。系统半导体在物联网、人工智能、虚拟现实和无人驾驶汽车等领域快速发展，在第四次工业革命中得到广泛应用。英特尔、高通等全球半导体公司在这一领域已经占领了市场。所以对于韩国企业来说，要想在全球市场上赢得竞争力，就要向这些领域的方向发展。
韩国半导体产业的历史始于1965年。从半导体组装开始，在研发出64K DRAM产品后，1983年韩国继美国和日本之后，排名世界第三位。1992年韩国获得DRAM领域的头把交椅。2013年，韩国成为世界上第一个实现3D V-NAND闪存商业化的国家。韩国应以这种创新大胆的精神为基础，保持在半导体行业的领导地位。