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锐骏半导体推出MOSFET封装新工艺

类别:新品推荐  

 著名的电源半导体技术公司 深圳市锐骏半导体有限公司 最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。

  通常TO220封装有全塑封和半包金属封装两个规格。

  金属封装有一片裸露的金属基导框架外漏,可以方便器件固定,扩大连接散热器,金属基导本身也是散热器,在热量不是很高的情况下使用。封装能大幅提升电源有效散热效率,针对发热严重或者对散热要求更高的电路,扩展散热器面积很有效。缺点是散热片与器件漏极相连,与其它器件触碰时需要绝缘处理。

  TO220-F塑封形式,内部框架、芯片、焊片全部被一体包封住,与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂,这种高级环氧材料具有非常好的抗热性,防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高,需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样,采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触,更好的保护电路安全。 缺点是降低了管子散热性能。

  有些时候需要多颗MOS、肖特基、整流管一起使用,同在一片散热器上,不是都能塑封或者塑封可以承担得了散热,这里需要加装绝缘片和胶粒固定。如图上。

  锐骏半导体TO220-S结构采用高导热材料内部绝缘,具有相当金属封装优异的散热性能同时兼顾结缘性能,安装使用方便,提高了生产效率,减少结缘成本。

  耐温>150℃,不会因绝缘胶粒耐温度低会融化,耐压>2000V,做到多颗管子相互可靠的绝缘,散热器安全可靠的接地而不受影响。下图是应用案例。广泛应用在电动车、电源等高压驱动期间中,有逐步取代革新现有封装形式的趋势。并获得国家发明专利。