TEL:0755-32882616   公司简介 - 委托交易 - 收费标准 - 汇款方式 - 联系我们 - 免责申明 - 站点地图

设为桌面图标 | 设为首页 | 加入收藏夹 | IC型号 | 黑名单

行业资讯: 行业动态 | 新品推荐 | 行业知识 | 行业统计 | 市场分析 | 政策法规 | 展会信息 | 财富品味 | 企业管理 | 国内企业 | 国外企业
   当前位置: IC37首页 > 行业资讯 > 行业动态 > 英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

类别:行业动态  

之前,芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的“尖端制造大会”上,正式向大家展示了藉由最新的10纳米制程技术所生产的晶圆,并且表示由10纳米制程技术所生产的Cannon Lake处理器将会在2017年年底之前开始量产。

  只是,现在有消息透露,首批进入到市场的英特尔 10纳米制程技术产品,将不会是大家期待的CPU,而是目前市场价格高涨的NAND Flash快闪存储器。

  根据业界人士透露,英特尔计划在自家最新的64层3D NAND Flash快闪存储器上使用最新的10纳米制程技术。至于为何在3D NAND Flash快闪存储器上首先使用新制程技社,很可能是因为NAND Flash快闪存储器的结构相对简单,基本上就是大量同类电晶体的堆积。

  相较之下,CPU处理器的架构就显得复杂多了。而就由使用新制程技术来生产,复杂性也是关系成功与否的重要风险之一,而这也是英特尔在14纳米制程、10纳米制程上屡屡延后推出的一项主要因素。

  而依照英特尔的说法,10纳米制程技术使用了FinFET(鳍式场效应电晶体)、Hyper Scaling(超缩微)技术,可将电晶体密度提升2.7倍,结果自然可以大大缩小芯片面积,对NAND Flash快闪存储器的设计来说,当然就能极大地提升容量。

  不过,目前还不清楚英特尔的10纳米制程NAND Flash快闪存储器的具体生产情况为何,但是可以确认的是,未来该批产品将会首先运用于资料中心的市场,等成本下降之后,再推广到消费等级市场领域。