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存储器价格连续下跌.三星.SK海力士.美光.恐怕要扛不住了

时间:2018-12-27, 来源:互联网, 资讯类别:国外企业

本文摘要:随着行业逐渐进入低迷,SEMI预计,与今年相比,韩国半导体公司的资本支出将减少34.7%。根据最新报告,明年内存芯片制造商的资本支出预计将下降19%,而不是此前预测的增长3%。DRAM方面预计下降23%,NAND闪存方面预计下降13%。三星电子可能会减少对平泽的P1和P2设施以及华城的S3的投资。

根据韩国方面消息,三星2018年第4季营业预期利益已从15万亿韩元下调至14.298万亿韩元。SK海力士也将2018年第4季营业预期利益从6.4724万亿韩元下调至5.6403万亿韩元。

据悉,三星目前已经削减了存储芯片扩产计划以阻止价格进一步下滑,其表示2018年DRAM内存的产量位元增长率(bit growth)将低于年初预测的20%,而NAND闪存的位元增长率将为30%(此前预测为40%)。同时,根据相关消息显示,三星2019年的资本支出将下滑8%,其中DRAM内存投资大砍20%。

另一边,SK海力士在此前的2018Q3财报会议上亦表示,将调整在2019年第1季末开始量产NAND Flash快闪存储器的M15工厂产能,以降低SK海力士对DRAM的依赖。而位于无锡的C2工厂,也将把原来2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生产制程,优化成1xnm(10nm后期)的产品,以降低生产成本,并将在2019年第2季量产。至于,以生产NAND Flash快闪存储器为主的M11工厂,则将把2D NAND Flash转换为生产3D NAND Flash,也是因为就生产成本来进行的考量。

美光财报引发业界担忧

上周三,美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。数据显示,美光公司当季营收79.1亿美元,同比增长16%,毛利率达到了58%,净利润32.9亿美元,同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的,但是相比上个季度已经放缓了,主要原因就是NAND闪存大幅降价,DRAM内存芯片也由涨转跌,影响了公司的毛利率。

美光方面预计,2019年内存芯片产能增幅为15%,低于此前预期的20%;这直接导致DRAM和NAND需求将减弱,NAND闪存芯片也只会增长35%,低于此前预计的35-40%。因此公司下调了第二财季的营收,预计为57亿到63亿美元之间,低于分析师预期的73亿美元。

为了解决供过于求的问题,美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上表示,“正采取果断行动,包括大幅降低2019财年资本开支”,减少NAND 及DRAM产量以维持价格。

具体来看,美光计划将明年全年的资本支出下调12.5亿美元降至95亿美元,主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能,美光认为这些领域的需求量将低于预期。

业内指出,半导体下游应用需求端的疲软是对明年最大的担忧,美光的财报恰恰反映了这一点。认为包括通讯电子、消费电子、汽车电子等在内的下游应用明年均将出现增速放缓,某些细分领域甚至有可能出现倒退。

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