AMD有望首次在制造工艺上打败英特尔

英特尔这些年来能叱咤CPU领域，一方面在于他们有强悍的芯片设计能力；另一方面，在制程上的领先，是他们能持续保持领先的根本。在过往，他们自有的晶圆厂在制造能力上领先于所有竞争对手，包括专注于晶圆代工的台积电。但最近他们在10nm上面陷入泥潭，这就给其竞争对手AMD带来了机遇。

据Solidot透露，AMD 下一代的 Rome 服务器处理器相比英特尔的 Ice Lake Xeon 服务器处理器，可能将其历史首次在制造工艺上具有优势。Rome 基于 Zen 2 架构，相比第一代的 EPYC 处理器，Rome 的 IPC 性能改进了 10-15%，将最高有 64 个核心。

预计从下半年开始试制样品，明年全面投产。处理器由台积电或 GlobalFoundries 制造，或两家都参与生产，采用 7 纳米制造工艺。而这两家代工厂的7nm工艺都进展非常顺利。

台积电方面，今年六月，该公司的CEO魏哲家在其举办的技术研讨会上表示，台积电7nm制程的芯片已经开始量产。根据台积电官方介绍，与其10nm FinFET工艺相比，台积电的7nm FinFET具有1.6倍逻辑密度，约20％的速度提升和约40％的功耗降低。台积电通过推出两个独立的7nm FinFET路径（一个针对移动应用进行了优化，另一个针对高性能计算应用进行了优化）创造了又一个行业记录。这也将成为他们下半年的一个营收重点。

在日前举办的Q2法说会，台积电表示，其7纳米正按计划推进，预计下半年将开始贡献收入。同时，台积电对7纳米制程发展深具信心，预期第3季7纳米制程比重将达10%，第4季7纳米制程单季比重可望进一步达20%水准。

到明年，他们又将领先群雄，率先导入EUV量产，意味再次棒打英特尔、三星等劲敌，晶圆代工龙头地位屹立不摇。台积电董事长魏哲家证实，台积电导入EUV的7nm强化版（7+）将于明年第2季量产，是全球首家采用EUV为客户量产芯片的晶圆代工厂。届时7nm将贡献超过20%业绩，即明年7纳米制程业绩将较今年激增1倍以上。

而AMD的紧密合作伙伴格芯在7nm方面也进展顺利。根据外媒透露，身为 AMD 专用晶圆厂，格芯技术长 Gary Patton 在年初层指出，目前格芯即将投入生产的 7 纳米制程可让芯片面积大幅减少。 根据格芯计算，在同等晶体管数量下，7 纳米制程的芯片将是 14 纳米制程芯片的 1/2.7，芯片发热量减少、更高的频率都将可期待。

在五月的时候，为了应对台积电的竞争，他们调整了 7 纳米制程的闸极距以及 SRAM 单元，使之与台积电的 7 纳米制程更加相近，这就能让 AMD 能同时使用两家的 7 纳米制程。格芯还进一步指出，对于 AMD 另外采用台积电作为代工厂也表示理解。原因是 AMD 的订单需求超过了格芯的产能，因此寻求台积电加入代工，这对格芯来说是完全没有问题的。

至于英特热的Ice Lake 方面， 细节所知不多，但正如前面所说，英特尔的 10 纳米技术遭遇了多次延期，目前大规模量产已推迟到 2019 年的某个时间。根据 Scotten Jones 的分析，英特尔的 10 纳米节点与台积电和 GlobalFoundries 的 7 纳米节点几乎相差不大，而 7 纳米节点在晶体管密度上略有优势。这将是 AMD 的服务器芯片首次在晶体管密度领先于英特尔。