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2018年半导体资本超五成用于内存

时间:2018-9-1, 来源:互联网, 资讯类别:行业统计

根据市场研究公司IC Insights的调查报告,2018年半导体产业资本支出(capex)总额将达到1,020亿美元,其中,内存芯片的资本支出预计将占整体产业的53%,几乎是五年前内存所占比重的两倍。

根据IC Insights的最新版McClean Report,随着所有的NAND闪存(flash)供应商提高3D NAND的产能,预计与NAND相关的资本支出总额将超过310亿美元,占半导体产业总额的31%。不过,相较于2017年NAND Flash资本支出成长暴增91%,今年NAND资本支出总额增幅减缓至13%。

同时,该报告预测,DRAM和SRAM的资本支出增幅将比其他任何产业更高,继2017年大幅成长82%后,今年将再成长41%。根据该报告,DRAM/SRAM的资本支出预计将达到229亿美元,占整体半导体产业的22%。

IC Insights预计,全球半导体产业总计将达到1,020亿美元——包括现有晶圆厂产线和全新制造设施的升级,象征着半导体产业第一次为资本支出注入突破1,000亿美元大关。该公司称,今年的总资本支出将比2017年增加9%,并较2016年的资本支出增加了38%。

IC Insights警告道,经过两年的资本支出大幅增加后,业界过度看好NAND flash市场需求的风险相当高且不断成长。IC Insights指出,三星(SAMSUNG)、海力士(SK Hynix)、美光(MICRON)、英特尔(Intel)、东芝(TOSHIBA)/Western Digital/ SANDISK和XMC /长江存储科技(YMTC)都计划在未来几年内大幅提升3D NAND flash产能,此外,还有其他新的中国内存新创公司可能进入市场。

IC Insights在新闻发布中指出:“内存市场的历史先例显示,过多的支出通常会导致产能过剩以及紧随而来的价格疲软。”

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