长江存储64层芯片量产后把主要精力将转移到128层上

导读：长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后，进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash战局，对比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）进入90层3D NAND芯片生产，长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。近日，获悉，紫光集团旗下的长江存储计划于今年年底前投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。64层芯片量产后，长江存储的主要精力将转移到128层上，后者有望在2020年大规模投产。

32层3D NAND芯片的研发成功对于长江存储而言，只是练兵意义，真正要上战场打仗的技术，绝对是 2019年即将亮相的64层3D NAND芯片，目前的良率进度如期，预计8月可进入生产。

相较NAND Flash大厂今年进入90层3D NAND芯片技术，长江存储目前的技术约落后国际大厂1.5 2 个世代，但2020年，长江存储计划弯道超车，追平国际大厂。

根据目前规划，2020年三星、SK海力士等大厂将进入128层技术，长江存储也计划从64层技术，直接跳到128层3D NAND技术，力拼与国际大厂技术“无时差” 。

业界人士认为，从64层技术直接跳到128层的3D NAND技术难度十分高，但这确实会是国内半导体与国际水平差距最近的一次，是否能成功跨越重重难关，这一役十分关键。

值得注意的是，根据原本规划，长江存储量产后的3D NAND芯片是要给紫光存储来负责销售，但传出该策略有变，长江存储有意自产自销3D NAND芯片。

业界认为，只要长江存储的64层3D NAND芯片良率够好，不担心客户问题，尤其是国内系统层级的客户，对于采用国产芯片的态度都是跃跃欲试，况且，长江存储不单是在国内销售，未来的目标是要将芯片推向国际，这点也是该公司在建立技术体系之初，就非常在意专利和知识产权问题的原因。

长江存储的 64 层 3D NAND 芯片下半年要进入量产，业界认为新技术在量产初期，总会有一些良率较低的产品在市场流窜，这部分的货源可能会干扰一些中、低价格的 3D NAND 芯片市场，但这是每一个新技术量产之初的必经之痛。

64层芯片量产后，长江存储的主要精力将转移到128层上，后者有望在2020年大规模投产。

报道称，此前，采用长江存储闪存生产的SSD由紫光存储负责经销。目前长江存储正与紫光集团沟通，希望能够获得SSD、UFS存储芯片等产品的品牌建设和自主经营权。

长江存储主要精力转移到128层闪存芯片上 有望在2020年大规模投产

此前，长江存储／紫光集团已经和深圳江波龙（Longsys）建立合作，计划打造高度国产化甚至完全国产化的存储设备。

长江存储是国内三大存储芯片阵营中主攻NAND闪存的公司，去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存，还在前不久CITE2019上展示了使用长江存储的32层3D NAND闪存的企业级P8260硬盘。

但是，公司CTO程卫华表示，长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存，因此计划于今年下半年直接量产64层堆栈的3D NAND闪存，目前进展顺利，暂时没有障碍。

纵观国际闪存巨头，三星、SK Hynix、美光占据近乎90％的存储市场，目前大多正在使用90层堆栈的3D NAND闪存。SK Hynix、美光计划今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。

如果长江存储今年年底能够成功量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么与三星等国际存储巨头公司技术差距可以缩小到2年左右。

最重要的是，人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多。

从总体而言，与DRAM领域不同，长江存储在NAND领域取得了一些进展。如果今年下半年量产64层堆栈NAND闪存，在国产替代和政策要求的趋势下，中国智能手机及PC制造商可能将采用国产NAND闪存。如果出现这种情况，将影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

但是面对差距，长江存储想要改变内存行业一直被三巨头垄断的现状，还存在诸多挑战：

还没大规模量产32层堆栈的3D NAND闪存，是否能够大规模量产64层堆栈的3D NAND闪存？产能问题如何解决？

闪存市场价格呈下跌态势，长江存储如何应对市场环境和趋势？

国产内存工艺相对落后，面对2年左右的技术差距，又该如何追赶？

以上因素都是长江存储或国产内存厂商无法逃避的问题，挑战仍在，任重道远。