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CS6552FEP

类别:公司动态 发布时间:2017-1-11  阅读:93 发布企业: 深圳市创芯弘科技有限公司
摘要:CS6552FEP

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概述

CS6552/CS6552F 是一款离线式小功率 AC/DC 开关电源的高精度原边反馈 LED 恒流

驱动电路,内部集成 600V 高压功率管,适应于 85V-265Vac 全范围输入、反激式隔离

LED 恒流驱动。通过原边控制,无需光耦等次级反馈环路,即可实现高精度的 LED 恒

流输出,降低成本。

CS6552/CS6552F 内部集成了多重保护功能来加强系统的稳定性和可靠性,包括

VCC 欠压保护,LED 开路/短路保护,逐周期限流以及过温保护等,所有保护均具有自

动重启功能。

其特点如下:

● 原边控制实现恒流,无需光耦等次级反馈环路

● 内部集成 600V 高压功率 MOSFET

● 宽电压 85Vac~265Vac 内实现高精度 LED 输出电流

● 低静态功耗

● 电感电流断续模式

● 内置前沿消隐电路(LEB)

● 输出短路/开路保护

● 电流采样电阻开路保护

● 逐周期原边电感电流限制

● 电源过压/欠压保护

● 过温保护

● 封装形式:DIP8

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创芯弘科技连续两年荣获“电子元器件行业十大金牌优质供应商

身处无尽的“暗硅片”,CPU设计师该往哪去?

对可怜的处理器设计师表示同情。他们的工作以前非常简单。在每一半导体新工艺代中,每平方毫米的晶体管数量都会加倍,速度会有很大的提高,同时总功耗也会降低。设计师的黄金规则是 “保持体系结构不变,在实现上稍作调整。”

但现在完全不同了。速度提高的越来越小,功耗降低的也越来越少。您再也不能简单地提高时钟了:设计师不得不使用所有新晶体管来研究实现并行功能。但是怎样找到并行功能呢? 首先,我们找到了现成的好方法:通过超标量体系结构自动实现指令级并行功能。然后,有了更多的晶体管,使用了大部分指令并行功能,矢量处理器进行数据并行处理,宏单元级指令并行 — 线程,采用多线程,然后是多核CPU。

但是,我们突然发现自己身处无尽的“暗硅片”中。所有这些晶体管的功率密度增加非常快,如果它们都同时全速运行,根本没法对其进行散热。我们使用时钟选通,然后是电源选通,最后降低晶体管封装密度,以避免互联走线被熔化。但是,这限制了我们采用越来越多的晶体管实现数据和算法的并行处理。看起来这一过程要慢慢停下来了。

年初的热点芯片大会上就提出了这类问题。虽然在克服困难方面已经取得了很大的成就,但是芯片设计师仍然展示了还有继续创新的空间:找到能够进行并行处理的地方,使用所有晶体管的方法,以及使其保持较低温度的技术。

找到好方法

很显然,如果我们继续使用所有这些晶体管,那么,我们必须降低能耗。这意味着,减少信息的传送:数据移动和复制少了,指令读取的少了。不仅DRAM周期能耗比较高,而且在高级进程中,数据通过阻抗越来越大的片内互联也是问题。在传统的体系结构中,我们能够传送大量的数据:最近的估算表明,SoC中80%的活动硅片用于连接或者缓冲互联,而不是用于逻辑功能。

信息传送的少了,意味着需要围绕数据内部结构来组织处理单元—这是热点芯片大会论文最明显的观点。我们特别关注一下四种情形。第一,搜索引擎加速,处理大量的非结构和独立数据元素。第二种情形,矢量处理,处理高度结构化的数据,其元素之间会有相关性。第三种,有很多线程的问题,但不一定是并行数据处理。最后一种情形,单线程加速。

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