IRF9610PBF TO220三极管 IR /VISHAY
日期：2017-10-12【封装】: TO220
【品牌】: IR
【包装】: 1000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
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FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V Vgs（最大值） ±20V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 20W（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 900mA，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220AB
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