汇创佳电子新到原装现货SI2305CDS-T1-GE3

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数据列表SI2305CDS
标准包装  1零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列TrenchFET

规格
FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.8A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V  250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)30nC电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大) Vgs8VVgs(最大值)±8V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)960pF电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大)  Vds4VFET 功能-功率耗散(最大值)960mW(Ta),1.7W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)35 毫欧  4.4A,4.5V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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