DRV8800PWPR

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通常MOSFET工作于开关状态,在截止区和完全导通区之间高频切换,由于在切换过程中要经过线性区,因此产生开关损耗。对于热插拨、负载开关、分立LDO的调整管等这一类的应用,MOSFET较长时间或一直在线性区工作,因此工作状态不同。

功率MOSFET在完全导通区和线性区工作时候,都可以流过大的电流。理论上,功率MOSFET是单极型器件,N沟道的功率MOSFET,只有电子电流,没有空穴电流,但是,这只是针对完全导通的时候;在线性区,还是会同时存在电子和空穴二种电流,如图2、图3和图4分别所示,完全导通区和线性区工作时,电势、空穴和电流线分布图。

从电势分布图,功率MOSFET完全导通时,VDS的压降低,耗尽层完全消失;功率MOSFET在线性区工作时,VDS的电压比较高,耗尽层仍然存在,此时由于在EPI耗尽层产生电子-空穴对,空穴也会产生电流,参入电流的导通。

空穴电流产生后,就会通过MOSFET内部的BODY体区流向S极,这也导致有可能触发寄生三极管,对功率MOSFET产生危害。由空、电流线穴分布图可见:线性区工作时产生明显的空穴电流,电流线也扩散到P型BODY区。


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