LM5122MHX/NOPB
日期:2018-5-16LM5122MHX.jpg" />
品牌:TI
型号:LM5122MHX/NOPB
封装:HTSSOP20
包装:2500
年份;1802+5
数量:75000000
产地:Thailand
瑞利诚科技(深圳)有限公司
联系人:Eason
电话;13312991513
qq:1134043964
邮箱:13312991513@163.com
描述
LM5122 是一款具有多相功能的同步升压控制器,适用于高效同步升压稳压器 应用。控制方法基于峰值电流模式控制。电流模式控制可提供固有线路前馈、逐周期电流限制和简便的环路补偿。
开关频率可编程至高达 1MHz。通过两个支持自适应死区时间控制的稳健耐用型 N 通道 MOSFET栅极驱动器来实现更高效率。一个用户可选的二极管仿真模式还支持非连续模式运行,从而提高轻负载条件下的效率。
一个内部电荷泵可实现高侧同步开关的 100% 占空比(旁路运行)。一个 180° 相移时钟输出可实现简单的多相位交错配置。其他 功能包括热关断、频率同步、间断模式电流限制和可调线路欠压锁定。
特性
最大输入电压:65V
最小输入电压:3V(启动时为4.5V)
输出电压高达 100V
旁路 (VOUT = VIN) 运行
1.2V 基准电压,精度为 ±1%
自由运行和同步开关频率最高可达1MHz
峰值电流模式控制
稳健耐用的 3A 集成栅极驱动器
自适应死区时间控制
可选二极管仿真模式
可编程逐周期电流限制
间断模式过载保护
可编程线路欠压锁定(UVLO)
可编程软启动
热关断保护
低关断静态电流:9μA
可编程斜率补偿
可编程跳周期模式可减少待机功耗
允许使用外部VCC 电源
电感器分布式直流电阻 (DCR)电流感应功能
多相功能
热增强型 20 或 24 引脚HTSSOP
使用 LM5122 并借助WEBENCH电源设计器创建定制设计方案
具有多相功能的 LM5122 宽输入同步升压控制器
1 特性
18226; 最大输入电压:65V
8226; 最小输入电压:3V(启动时为 4.5V)
8226; 输出电压高达 100V
8226; 旁路 (VOUT = VIN) 运行
8226; 1.2V 基准电压,精度为 ±1%
8226; 自由运行和同步开关频率最高可达 1MHz
8226; 峰值电流模式控制
8226; 稳健耐用的 3A 集成栅极驱动器
8226; 自适应死区时间控制
8226; 可选二极管仿真模式
8226; 可编程逐周期电流限制
8226; 间断模式过载保护
8226; 可编程线路欠压锁定 (UVLO)
8226; 可编程软启动
8226; 热关断保护
8226; 低关断静态电流:9μA
8226; 可编程斜率补偿
8226; 可编程跳周期模式可减少待机功耗
8226; 允许使用外部 VCC 电源
8226; 电感器分布式直流电阻 (DCR) 电流感应功能
8226; 多相功能
8226; 热增强型 20 或 24 引脚 HTSSOP
8226; 使用 LM5122 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案
2 应用
8226; 12V、24V 和 48V 电源系统
8226; 汽车起停
8226; 音频电源
8226; 大电流升压电源
3 说明
LM5122 是一款具有多相功能的同步升压控制器,适用
于高效同步升压稳压器 应用。控制方法基于峰值电流
模式控制。电流模式控制可提供固有线路前馈、逐周期
电流限制和简便的环路补偿。
开关频率可编程至高达 1MHz。通过两个支持自适应死
区时间控制的稳健耐用型 N 通道 MOSFET 栅极驱动
器来实现更高效率。一个用户可选的二极管仿真模式还
支持非连续模式运行,从而提高轻负载条件下的效率。
一个内部电荷泵可实现高侧同步开关的 100% 占空比
(旁路运行)。一个 180° 相移时钟输出可实现简单的
多相位交错配置。其他 功能 包括热关断、频率同步、
间断模式电流限制和可调线路欠压锁定。
器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
LM5122 HTSSOP (20) 6.50mm x 4.40mmLM5122Z
带散热片薄型小外形
尺寸封装 (HTSSOP)(24)
7.80mm × 4.40mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
推荐的6.3种操作条件
超过运行的自由空气温度范围(除非另有说明)(1)
最小最大单位
输入电源电压(2)VIN 4.5 65 V
低侧驱动器偏置电压VCC 14伏
高边驱动器偏置电压BST至SW 3.8 14 V
电流检测共模范围(2)CSP,CSN 3×65 V
开关节点电压SW 100 V
结温,TJ - 40°125°C
热计量
LM5122,LM5122Z
普华永道单元20针24针
R TH JA结到环境热阻36°32.4°C/W
R Th JC(TOP)结与外壳(顶部)热阻20.1°15.6°C/W
R Th JB结对板热阻16.8°7.5°C/W
JT结到顶部表征参数0.4°0.2°C/W
JB结到板表征参数16.7°7.7°C/W
R TH JC(BOT)结到外壳(底部)热阻1.7°1.1°C/W
6.5电特性
除非另有说明,这些规范适用于-40°C小于TJ±125°C,VVIN=12 V,VVCC=8.3 V,RT=20 K,NO。
在LO和HO上加载。典型值表示TJ=25°C的最有可能的参数范数,并提供参考。
参数测试条件MIN TYP MAX单元VIN电源
IISUTUN VIN关断电流VUVLO=0 V 9×17μA
IOBIAS VIN工作电流(不包括
电流到RT电阻器)VUVLO=2 V,非开关4毫安5毫安
VCC调节器
VCC(RG)VCC调节无负载6.9 7.6 V 8.3
VCC辍学(VIN到VCC)
VVIN=4.5 V,无外部负载0.25 V
VVIN=4.5 V,IVCC=25毫安0.28×0.5 V
VCC电源电流限制VVCC=0 V 50毫安62毫安
体外受精-胚胎移植
VCC工作电流(不包括电流到RT电阻
VVCC=8.3 V 3.5×5毫安
VVCC=12 V 4.5×8毫安
VCC欠压阈值
VCC上升,VVIN=4.5 V 3.9,4 V 4.1 V
VCC下降,VVIN=4.5 V 3.7 V
VCC欠压滞后0.385伏
UVLO阈值UVLO上升1.17 1.2 V 1.23
UVLO滞后电流VUVLO=1.4 V 7 7 10 13 A
UVLO待机启动阈值UVLO上升0.3 0.4 V 0.5
UVLO待机启用滞后0.1 0.125 V
除非另有说明,这些规范适用于-40°C小于TJ±125°C,VVIN=12 V,VVCC=8.3 V,RT=20 K,NO。
在LO和HO上加载。典型值表示TJ=25°C的最有可能的参数范数,并提供参考。
参数测试条件MIN TYP MAX单元
电流感测/逐周期电流限制
VCS-TH1
逐周电流限制
门槛
CSP到CSN,TJ=40°C到125°C 65.5 65.5 75 MV
CSP到CSN,TJ=25°C 67,75,86 mV
零交叉检测门限
CSP到CSN,上升7 mV
CSP到CSN,下降0.5 6,12毫伏
电流灵敏放大器增益10伏/伏
输入偏置电流12μA
ICSN CSN输入偏置电流11μA
偏置电流匹配
ICSP - ICSN - 1.75 1 - 3.75
LM5122
电气特性(续)
除非另有说明,这些规范适用于-40°C小于TJ±125°C,VVIN=12 V,VVCC=8.3 V,RT=20 K,NO。
在LO和HO上加载。典型值表示TJ=25°C的最有可能的参数范数,并提供参考。
参数测试条件MIN TYP MAX单元
LO栅极驱动器
VoHLO高电压降ILO=100毫安,VoHL= VVCC - VLO 0.15 V 0.25 V
伏洛低电压降ILO=100毫安,伏尔=VLO 0.1 V 0.17
LO上升时间(10%到90%)C装入=4700 pF 25 ns
LO下降时间(90%到10%)cLoad=4700 pF 20 ns
IOHL峰LO源电流
VLO=0 V,VVCC=4.5 V 0.8 A
VLO=0 V 2 A
IOL峰LO下沉电流
VLO=VVCC=4.5 V 1.8 A
VLO=VVCC 3.2 A
开关特性
TLLH下降到HO上升延迟
空载,50%至50%,50,80,115
空载,50%至50%(LM5122Z仅)50 50 80
THHL HO下降到LO上升延迟空载,50%到50%,60,80,105 ns
TSD热关断温度上升165°C
热关断滞后25°C
7.1概述
LM5122宽输入范围同步升压控制器具有实现所需的所有功能
一种高效率的同步升压调节器。基于峰值电流模式的调节器控制方法
控制。峰值电流模式控制提供了固有的线前馈和环路补偿的方便性。这个
高集成度控制器提供强大的高侧和低侧N沟道MOSFET驱动器的自适应
死区时间控制。开关频率是用户可编程的,由单个电阻器设置为1 MHz。
与外部时钟同步。LM5122的180位移位时钟输出使多相位变得容易。配置。
高侧同步开关的控制方式可以配置为强制PWM(FPWM)或积分调制。
模式。故障保护特性包括逐周期限流、过负荷跳闸模式。
保护,热关机和远程关机能力拉下来的UVLO引脚。UVLO输入
当输入电压达到用户选择的阈值,并提供一个微小的9μA时,启用控制器。
当拉低时关闭静态电流。该设备可在20和24引脚HTSSOP封装中使用。
具有一个暴露的垫,以帮助散热。