IRF7606TRPBF分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单,深圳市宏世佳电子科技有限公司现货销售
日期：2018-9-18摘要：型号：IRF7606TRPBF
品牌：IR
封装：8-MSOP
数量：12000
全新原装，公司现货
量大价优
属性：
| FET 类型 | P 沟道 | ​ |
|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | ​ |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | ​ |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 3.6A（Ta） | ​ |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | ​ |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，10V | ​ |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | ​ |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | ​ |
| Vgs（最大值） | ±20V | ​ |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 520pF @ 25V | ​ |
| FET 功能 | - | ​ |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | ​ |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | ​ |
| 安装类型 | 表面贴装 | ​ |
| 供应商器件封装 | Micro8™ | ​ |