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NVD5117PLT4G

时间:2018-11-9,阅读:62,发布企业:深圳市翔睿腾科技有限公司, 资讯类别:会员资讯
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NVD5117PLT4G

制造商:

ON Semiconductor

说明:

MOSFET 60V T1 PCH DPAK

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 4.5 V

Qg-栅极电荷: 85 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 118 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: NVD5117PL  

晶体管类型: 1 P-Channel  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 30 S  

下降时间: 132 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 195 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 50 ns  

典型接通延迟时间: 22 ns  

单位重量: 4 g


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