IPP200N25N3G
日期:2019-1-18摘要:MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
FET 类型 | N 沟道 | |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 64A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 20 毫欧 @ 64A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 270µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 86nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 7100pF @ 100V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 | |
封装/外壳 | TO-220-3 | |
【型号】:IPP200N25N3G
【封装】:TO220-3
【品牌】: Infineon Technologies
【包装】: 500
【品质】:百分百全新原厂原装正品