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发布采购

IPP200N25N3G

日期:2019-1-18类别:会员资讯 阅读:295 (来源:互联网)
公司:
品超電子(香港)有限公司
联系人:
刘先生 吴先生 沈小姐
手机:
电话:
086-0755-82553223,61351112
传真:
086-0755-61351122
QQ:
1281555871 2353003962
地址:
深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦A座1609
摘要:MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)86nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)7100pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散(最大值)300W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220-3
封装/外壳TO-220-3

【型号】:IPP200N25N3G

【封装】:TO220-3

【品牌】: Infineon Technologies

【包装】: 500

【品质】:百分百全新原厂原装正品