IKW40N120T2

型  号:
IKW40N120T2
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电议
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发货地点:
广东省 深圳
产品类别:
其他场效应管
更新时间:
2018-7-11 17:44:44
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所在地区:广东省 深圳

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息  

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 1.75 V

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 75 A

Pd-功率耗散: 480 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 2

封装: Tube

高度: 20.9 mm  

长度: 15.9 mm  

宽度: 5.03 mm  

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 200 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 240  

子类别: IGBTs  

商标名: TRENCHSTOP  

零件号别名: IKW40N120T2FKSA1 IKW4N12T2XK SP000244962  

单位重量: 38 g