三菱电机日前开发成功了可实现耐压性能超过1000V的半导体元件技术。设想应用于控制马达和逆变器的IPM（智能功率模块）等元件所使用的高耐压集成电路中。目前具有+1000V耐压性能的电路均由独立元件构成。如果利用此次开发的技术集成高耐压电路，将有利于减小IPM的尺寸、降低价格。 作为可将半导体元件的耐压性能提高至数百V～1000V左右的方法，从易于确保热可靠性来讲，绝缘体分离型的元件结构目前最有希望。但是，作为绝缘体分离型，采用普通的SOI（绝缘体上硅）结构时其耐压极限为600V左右。因为很难增加用作绝缘膜的二氧化硅（SiO2）膜厚。三菱电机此次不但在绝缘体分离型元件结构中采用了SODI（双绝缘体上硅），而且作为可增加绝缘膜厚度的材料新开发出一种硅梯形聚合物，从而实现了1000V的耐压性能。试制出高耐压集成电路后对该技术进行了测试，结果得到了1050V的耐压特性。硅梯形聚合物的绝缘特性为500V/μｍ。