德国英飞凌科技日前宣布，已经开始量产利用0.11μm工艺规格生产的DRAM内存。利用该规格试产的256Mbit DRAM内存已经通过包括英特尔在内的重量级客户认证。与亿恒科技此前在量产中使用的0.14μm工艺相比，每枚晶圆的芯片产量约增加50%，从而把芯片的生产成本削减了约30%。 英飞凌科技此次使用0.11μm工艺量产的首批芯片是256Mbit DDR模式同步DRAM（SDRAM）内存。主要面向个人电脑和服务器等产品。使用0.11μm规格的生产工艺，可以生产容量达1Gbit的DRAM内存。通过使用0.11μm这一深次微米生产工艺，能够更容易地生产DDR2模式SDRAM和RAM显存等高速内存。 关于此次量产的256Mbit DRAM内存，该公司强调指出“芯片面积堪称业界最小”。之所以能够减小芯片面积，一是使用了0.11μm深次微米加工工艺，二是在内存单元结构方面采用了该公司自主开发的沟槽技术。“与其他公司利用同样加工工艺生产的256Mbit DRAM内存相比，芯片面积约减小10%”（亿恒科技）。沟槽型DRAM内存单元技术尽管东芝和IBM也都有，但这两家公司目前已经不再生产通用DRAM内存。因此，目前使用沟槽型DRAM内存单元生产通用DRAM内存的只有英飞凌科技和台湾南亚科技公司，以及亿恒科技委托生产DRAM内存的企业。