摩托罗拉将在“ISSCC 2004”国际半导体会议上发表容量为4Mbit的MRAM，周期时间仅为25ns。芯片尺寸为4.5×6.3mm2。利用最小加工工艺0.18μm 5层金属CMOS技术生产。使用套环状TMR元件，存储单元面积为1.55μm。将写入电流通路与读取电流通路分开，写入电流通路采用单一传导方向。配备电流反射镜（Current Mirror）型读出放大器（Sense Amplifier）。 10月摩托罗拉曾宣布，已开始生产4Mbit MRAM，并且已经向部分产品厂商提供工业样品。而即将发表的很可能就是这种芯片。 该公司此前就已宣布准备利用最小加工工艺0.18μm生产2004年首先投产的MRAM。公布的存储单元面积的标准值为0.7μm2～1μm之间。此次宣布的最小加工工艺0.18μm MRAM存储单元面积与此相比增大了近2倍。

     此外，摩托罗拉准备在2003年12月于美国召开的“2003 IEEE International Electron Devices Meeting”国际半导体制造技术会议上，发表最小加工工艺0.18μm的4Mbit MRAM制造技术。