近日，随着处理器时钟频率的日益提升和功能的不断增加，芯片的发热量问题早已成为芯片制造商的挠头问题。但丰田中心研发实验室日前却表示，他们已经找到了该问题的解决方案。 据日本science journal Nature报道，丰田中心研发实验室日前已经开发出一种新的碳化硅（SIC）硅晶圆的制造方法，通过该技术可以有效解决芯片发热量过高的问题。 据悉，该制造工艺主要是通过一种高温气体来生长一个SIC层，通过该方法制造出的硅晶圆几乎没有任何瑕疵，而发热量也只有普通硅晶圆的1/3到1/2。 纽卡斯尔大学电子学专家Nick Wright对比表示道：“该问题已经困扰了电子行业多年，丰田中心实验室的解决方案将对整个社会产生重大影响。”Wright认为，这种制造方式是可行的。因为日本国家高级工业科技研究所研发的SiC晶体管已经具备低能耗、高效率和高电压等特征。 据悉，SiC是一种半导体，主要应用于电子领域。但由于其高达2700摄氏度的融化点，使其实际应用价值得到了一定限制。据调研机构Yole Developpement的调查数据显示，去年全球SiC的产量大约为25万片。 据丰田中心实验室的研发人员表示，该制造工艺正式商用还需要6年左右的时间。