新的研究成果可能会催生运行时大量发热、但无需冷却的运算功能强大的处理器，以能够在恶劣环境下运行的设备。

     据于美国当地时间本周四出版的《自然》杂志报道，由日本丰田公司中心研发实验室的Daisuke Nakamura领导的一个研究小组已经发明了一种制造碳化硅晶圆的方法，这是利用碳化硅大规模生产芯片的关键一步。该研究小组称，也许在6 年后，他们的研究成果才能够实现商业化应用。 新方法利用高温气体生产碳化硅层，这使得碳化硅的结晶只能在最洁净的表面进行。研究人员称，通过使用这种方法，能够生产出瑕疵更少的晶圆，出现瑕疵的水平能够减少2 、3 个数量级。纽卡尔斯大学的电子学专家赖特说，多年来，这一直是一个很难解决的问题，它将对社会产生广泛的影响。 赖特表示，包括对在高温环境下运行的设备和发动机进行更高效的控制等新的应用将成为可能。由日本国家先进工业科技研究院开发的试验性碳化硅晶体管显示，与传统的硅晶体管相比，它具有电能损耗低、效率高、能够随更高的电压等优点。 碳化硅是一种半导体，但由于硬度极高，它在电子工业中的应用受到了限制。由于熔点高达2700摄氏度━━二倍于硅，硬度接近钻石，对它进行加工几乎是不可能的。目前使用它的产品是一些类型的蓝激光二极管激光器和激光器二极管。 据市场调研厂商Yole发展公司称，去年全球碳化硅晶圆的产量是250000片。