韩国三星电子日前披露将建造新的晶圆厂，并计划使用65纳米节点处理工艺，继续进行扩充产能的步伐。 这个晶圆厂可能采用300毫米晶圆，生产NAND型闪存和其它65纳米产品。该公司据称已开发出亚70纳米工艺，包括一个高级NAND应用的8GB闪存器件。 三星电子美国分公司技术营销副总裁Jon Kang表示，“我们计划建造一条新的65纳米生产线。”但他拒绝透露新晶圆厂更详细的信息，该公司的一名女发言人表示会在方便的时机宣布其它细节。 三星电子当前在韩国拥有一座300毫米晶圆厂，这间工厂正在生产三星电子的双数据率(DDR2)SDRAM芯片，采用其100纳米工艺。另外，这个晶圆厂还在生产2Gb NAND器件，使用新投产的90纳米生产线。 Kang说，“2004年2 Gb产品对我们来说非常重要”，该公司也在生产4 Gb和8 Gb NAND产品。2003年，三星电子开发出90纳米工艺的4 Gb器件。 三星也在开发基于亚70纳米工艺过程的芯片，“65纳米工艺正在研发过程中，”Kang说，该工艺的第一个产品将是8 Gb NAND器件，据称在2004年底推出样片，大批量生产要等到2006年。 他说，这个行动是维持三星电子在存储器市场领先地位的一部分，尤其是在闪存领域， “我们希望每年存储器密度加倍。” 根据iSuppli公司新发布的排名，闪存市场的竞争变得越来越激烈。三星电子在2004年第一季度仍然维持全球闪存领先供应商的地位，销售额为9.07亿美元。然而，该公司在第二季度出现4.6%的连续季度下滑，市场份额从首季度的23.6%跌至21.2%。