英飞凌科技日前推出与NAND兼容的512Mb闪存芯片，该芯片是采用TwinFlash技术制造DRAM的现成设备来生产的，所以基本上无须另行投资制造设备就能进入一个新市场。全球NAND闪存的市场预期从2003年到2004年将增长30.8%，由33.6亿美元增加到44亿美元，英飞凌的目标则是到2007年要成为NAND市场上的前三大厂商之一。 这种512Mb闪存芯片由英飞凌科技闪存公司开发。该公司是英飞凌科技与半导体业者Saifun半导体公司的合资企业。初期的生产已经在英飞凌的200mm DRAM厂展开。 英飞凌表示，闪存扩展了其存储器产品系列，因此现在能够在DRAM与闪存之间有弹性的分配存储器产品的产能。 英飞凌指出，NAND闪存市场预期将会是未来几年里成长最快的内存市场。因此，该公司计划到2004年年底达到每个月以170nm技术生产1万片晶圆。下一个TwinFlash技术节点的特性是尺寸仅有110nm，这种技术目前正在开发中，着眼于进一步降低成本以及达到高抵2Gb的更大密度。