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东芝对现代半导体提出专利侵权诉讼
类别:电子综合  
 
        

    

     日本东芝近日表示,已在美国和日本对韩国Hynix半导体提出诉讼,称后者侵犯内存芯片相关专利。  东芝称,该公司周一在东京地方法院,就NAND型闪存专利侵权提出诉讼。东芝与韩国三星电子为NAND型内存市场的领导者。  东芝还在美国就七项专利侵权提出诉讼,其中有三项与DRAM芯片相关,另有四项与NAND型芯片相关。由于数码相机及照相手机的需求畅旺,因此NAND型芯片市场呈现强劲成长。