日前在美国所举行有关半导体光刻技术研讨会SPIEMicrolithography中，新墨西哥大学学者宣称，运用湿浸式技术，可望将193纳米光刻设备向下延伸至22纳米工艺以下。据报道，率先采用湿浸式193纳米光刻技术的硅片代工龙头台积电，也于1月底时表示类似看法。　　分析师指出，SPIE研讨会中的最新发展，不仅确认湿浸式193纳米光刻科技具向下延伸到45纳米工艺结点的解决方案外，更暗示157纳米光刻科技或深紫外光（EUV）光刻科技，恐将被迫打入冷宫，事实上，荷商ASML日前已暗示该公司将把157纳米光刻科技列为备选方案，而倾全力配合研发深紫外光科技。　　在半导体厂商方面，除已明确表态将绕道157纳米光刻技术蓝图，直接从193纳米光刻技术转进深紫外光技术的半导体龙头英特尔（Intel）以外，尚有硅片代工龙头台积电日前表示，将首先采用湿浸式193纳米光刻设备，借以导入先进工艺生产。　　然而，仍有德州仪器（TI）、意法（STMicroelectronics）等半导体厂商认为，157纳米光刻科技仍有可为之处，不仅深紫外光光刻设备的研发恐怕缓不济急，也认为193纳米光刻技术可能无法按照规划向下延伸至先进工艺，不过，夹处两大阵营之间，日子最难过的恐怕仍是光刻设备供应商。