| 台积电使用0.18um40V高压制程量产TFTLCD芯片 |
| 类别:电子综合 |
|                    世界第一大合约芯片制造商台积电(TSMC)今天宣布领先专业集成电路制造服务领域,使用0.18微米40伏特高电压制程技术,为客户量产手持式薄膜液晶显示器(TFT LCD)芯片。 此项制程技术为客户提供系统单芯片解决方案,甚具突破性意义,能够减少先进手持式产品显示器芯片的数目、缩小基板面积、节省耗电量以及增加显像效能;藉由台积电此项领先的0.18微米制程技术,芯片设计人员能够将LCD源极驱动芯片(Source Driver IC)、闸极驱动芯片(Gate Driver IC)以及电源管理芯片整合在一起,以降低显示器芯片数目,并延长液晶显示器之电池寿命。 此外,芯片设计人员也可以选择开发更高度整合的系统单芯片,进一步将应用于行动电话高阶视频图形数组(Video Graphics Array, VGA) 的绘图控制芯片以及薄膜或彩色屏幕驱动芯片整合在一起。 此项0.18微米40伏特高电压制程技术系台积电0.18微米低耗电量制程技术之衍生技术,不但与原制程技术完全兼容,并支持其所有逻辑及模拟硅智财。 除了降低耗电量以及减少芯片尺寸大小之外,亦能降低客户设计成本,且有鉴于芯片设计人员对于个人手持产品显示器芯片品质的最佳化之不同需求,台积电预计于2005年推出显示器影像效能单次调整(one-time programmability, OTP)及多次调整(multiple-time programmability, MTP)弁鄋渗S殊硅智财;使用此两项特殊硅智财毋须增加任何芯片生产制程步骤。 台积电同时提供客户晶圆0.18微米40伏特高电压制程技术的晶圆共乘(CyberShuttle)服务,供客户快速及以较低的成本进行芯片验证及工程样品芯片试制,并提供客户包括金凸块(Gold Bumping)等后段测试服务。           (转自 集成电路产业网新闻管理部)                |
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