| DRAM产品供给过剩,明年首季仍有降价压力 |
| 类别:电子综合 |
|                    DDR、SDRAM、NAND快闪记忆体等成熟记忆体产品,明年首季仍面临庞大降价压力,不过在DRAM市场中,被视为次世代主流规格的DDR2市场,将于明年首季开始起飞,许多DRAM厂已经开始全力拉升DDR2产出量,希望能先行卡位赚取高额溢价差。 以主流DDR市场来说,真正强劲的旺季需求尚未出现,但供给端0.11微米制程良率不断提升,十二寸厂产能大量开出,十一月下旬已出现供给过剩压力。整体来看供给过剩压力难解,明年首季DDR价格仍是看跌。 明年首季是封装测试传统淡季,但是受惠于DRAM、绘图晶片、手机晶片等出货量持续增加,且整合元件制造厂(IDM)委外趋势不变下,各家业者均认为营运当然会呈现衰退,但幅度应会在5%至10%间,优于过去经验中衰退10%至15%幅度。 同时,记忆体封测因产能不足,但前段晶圆厂还是维持100%满产能投片,所以将是的一块次产业市场。 日月光等业者均表示,明年第一季IDM厂持续将封测业务委外,仍是维持封测市场不致于大幅衰退的一大支撑力量。           |
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