Soitec SA日前表示，该公司正在为Sematech旗下先进技术开发设施(ATDF)的研究课题提供绝缘硅(SOI)衬底，用于开发多门场效应晶体管(MuGFET)。

　　Soitec表示，该项目已得到两家半导体制造厂和不少设备供应商的支持，同时一些美国大学也参与其中，研究重点为45纳米及以下的MuGFET技术。MuGFET是描述多种晶体管的一个通用术语，包括含有鳍状(fin-shaped)晶体管的FET和三门器件。

　　Sematech透露，该公司自2004年9月开始，一直采用45纳米设计规范，与一家主要的半导体供应商和大学研究所合作进行MuGFET项目。然而，Soitec拒绝说出这两家合作伙伴的名字，并不愿透露是否还包括其他设备或者材料公司。

　　Soitec还供应SOI衬底，用于采用248纳米波长光刻技术的45纳米节点MuGFET测试芯片的验证工艺。此外，Soitec还提供193纳米光刻技术用于开发FinFET晶体管。 　 （转自　电子工程专辑）