DRAM合约价不断下跌，05年却可能是DRAM厂资本支出再创新高的一年。三星已决定提高半导体资本支出；在国内，力晶、茂德与华亚科技也开始进行新的筹资建厂计划；而在彼岸，据亚洲华尔街日报报导，一旦登陆案过关，茂德计画在下半年斥资十亿美元于大陆兴建新厂。 英特尔的晶片组策略反覆，市场需求陷入观望，OEM厂对于第一季中国农历春节需求已不抱太大期望，一月下旬采购数量减少，DRAM厂合约价虽然希望维持与上旬持平，但包括戴尔、惠普等报出采购价格已较上旬再降三％以上，二五六MB DDR模组介于三十三美元至三十五美元间。 据通路商表示，DRAM厂近来希望维持下旬合约价持平不跌，因为DRAM厂开始进行产能调配，许多DDR产能调拨生产DDR2或NAND快闪记忆体，没有足够的量可以供应OEM厂，但是OEM厂提出下旬需求量预估时，却仍低于DRAM厂可提供的供给量，当然下旬合约价下调已是必然的事。 目前包括戴尔、惠普等的一月下旬DRAM采购价，二五六MB DDR模组介于三十三美元至三十五美元间，若与上旬三十四美元至三十七美元价格相较，跌幅介于三％至五％之间。所以日前通路商端传出三星将大幅下修一月下旬合约价消息，显然并非空穴来风。 尽管DRAM合约价不断下跌，至今年却可能是DRAM厂资本支出再创新高的一年。三星已决定提高今年半导体资本支出，国内三家DRAM厂力晶、茂德、华亚科技也开始进行筹资计划，今年新十二寸厂都将陆续完工投产，市场分析师就认为，十二寸厂的产能陆续开出，但需求面却不如去年强劲，价格要像去年一样维持在高档不跌实在很困难。 十二寸厂成为DRAM厂生产重心，八寸厂转入生产利基型产品已是趋势，根据亚洲华尔街日报报导，茂德今年下半年就将花费十亿美元在大陆兴建半导体厂。不过茂德发言人林育中昨日解释，茂德已经向政府送件，若政府通过茂德登陆案，茂德八寸厂会移到大陆去，但不会生产DRAM，而是生产大陆当地需求较强的低功率DRAM（low power DRAM）、NOR快闪记忆体等产品。

　　（转自　慧聪网）