尽管近来DRAM报价惨不忍睹，然全球DRAM厂为能在下一波产业景气盛况来临时，备妥充分产能抢攻市场占有率，扩产脚步仍不停歇，台湾DRAM厂亦不例外，继南亚科（连同华亚部分）产能出现爆炸性成长，近期包括力晶及茂德2家独自拥有12寸厂的业者，亦提前12寸厂扩产计划，摩拳擦掌等待景气转强时大显身手。

     　 台湾DRAM三雄近期无不加紧扩产脚步，南亚科及华亚合计DRAM产出已逼近全球第二大DRAM厂海力士（Hynix），力晶及茂德亦不甘示弱，纷全力加速旗下12寸厂产能扩充脚步，希望到2005年下半整体DRAM产业景气由弱转强时，能够准备好价格低且供应充足的DRAM给下游客户。 　茂德座落于中部科学工业园区的12寸晶圆三厂，以约12个月时间迅速完成整体建厂工程，洁净室亦提前完工，并于3月底开始运转，机台装机作业将陆续进行。茂德发言人林育中表示，茂德中科12寸晶圆三厂于2004年4月动工兴建，在建厂小组全力以赴下，较原定进度5月提前完工，有助于提前布署后续装机与投产计划。　 随着硬体完工进度超前，以及洁净室开始运转与装机陆续展开，茂德中科12寸晶圆三厂预计6月进行试产，并于第四季（Q4）完成制程与产品验证，未来将采90奈米制程技术量产512Mb DDRⅡ，每月产出约5,000片，预计2006年Q4产能将达每月3～3.5万片。　 力晶方面亦是全面加快12寸厂产能扩充计划，发言人谭仲民表示，原本预计要到2005年Q3才会将12B厂产能扩充至1.5万片，如今则提前至6月便上冲至1.5万片，且提前在Q2将产能拉至第一阶段满载水准，较原定时程足足提前1季。至于力晶12B厂第二阶段2.5万片扩产计划，也可望提前达到。　 力晶预计，到Q2总产能将约有70～80％来自于0.11微米制程，因此，就算Q2 DRAM价格再跌，届时，力晶仍将因完整测试DRAM成本不及2美元，而持续保有一定获利，这也是为何力晶会持续提前扩充12寸厂产能，以及采用最新制程技术的主要原因。　 市场分析师认为，过去DRAM厂因考量营运资金，多会选择在产业景气较佳时扩充产能，不过，却往往在产能扩充后，却又碰上景气由盛转衰，造成资源浪费及无效率，因此，现在多数DRAM厂都学会在景气较差时，逆势扩充产能，待景气转佳时刚好可力拼市占率。　 （转自　慧聪网）