| 英特尔向AMD学习将放弃现有芯片设计理念 |
| 类别:电子综合 |
|                         英特尔的一名官员宣称公司未来芯片的设计理念将与目前现有的芯片设计理念有所不同。 英特尔公司企业技术集团的新任负责人贾斯廷在接受采访时,详述了2015年左右即将推出的芯片的设计理念。英特尔公司与芯片产业的多数厂商一样,都视多内核为提高未来芯片性能的途径。贾斯廷称,英特尔公司要通过在芯片上集成更多的功能,改变芯片的某些设计来确保芯片能为多个处理器内核提供足够带宽。 英特尔公司正在开发的一款试验性的芯片设计是在处理器缓冲中直接集成一个PC或服务器网络控制器,加快信息由计算机外部到芯片的传输速度,解决系统的瓶颈问题。贾斯廷称,已将这一项目的一些早期成果应用在了英特尔的I/O加速技术中,向I/O分配更多的处理资源,从而从根本上提高了英特尔芯片的I/O性能。代号为Dempsey的首款英特尔双内核至强芯片中将用到该技术。 贾斯廷称,为提高系统的总体性能,多内核芯片与内存和图形芯片的连接通道要更快。英特尔将在未来10年内,在一些芯片中集成内存控制器和图形控制器,这一理念与其现有的设计理念大不相同。 分析人士和客户曾力劝英特尔推出多内核芯片时放弃前端总线技术。英特尔的现有芯片设计中,是芯片组上的内存控制器来完成处理器和系统内存之间的交互任务,该内存控制器以400MHz-1066MHz的速度向处理器提供数据。多年来,这一设计使英特尔受益匪浅,但随着多内核时代的到来,就要求有更大的内存带宽。 为解决系统瓶颈,AMD公司在Opteron、Athlon 64处理器上集成了内存控制器。测试结果显示,在运行内存敏感的应用软件时,系统性能有较大幅度的提高。 贾斯廷称,随着英特尔推出0.045微米和0.032微米的制造工艺,就会开始应用这些设计。预计英特尔会在2007年和2009年推出这两种制造工艺。 (来源 电子产品世界)           |
- 海尔空调制冷故障维..
- 2008-1-25
- 大尺寸TFT显示器..
- 2008-1-27
- 利用DC/DC转换..
- 2008-1-27
- 电动车铅酸蓄电池的..
- 2008-1-27
- 大型搅拌站自动配料..
- 2008-1-27
- 城市和工业污水处理..
- 2008-1-27
- 开关电源的数字控制..
- 2008-1-27
- 精密的智能电池使充..
- 2008-1-27
- 基于DSP控制的2..
- 2008-1-27
- 增强型运营商级多服..
- 2008-1-27
- 高效CCD数码相机..
- 2008-1-27
- Atheros 单..
- 2008-1-27
- Philips 推..
- 2008-1-27
- Fujitsu 数..
- 2008-1-27
- 如何给PCI卡选用..
- 2008-1-27
- A/D转换芯片的测..
- 2008-1-27
- 基于CTl技术的交..
- 2008-1-27
- MMIC和RFIC..
- 2008-1-27
- 利用皮弹服务器进行..
- 2008-1-27
- 白色发光二极管及其..
- 2008-1-27



