| 三星4Gb NAND闪存已生产,采用70纳米制程 |
| 类别:电子综合 |
|
三星日前称它已开始采用70纳米制程批量生产4Gb NAND闪存芯片。这款芯片依靠在一块铅模里堆叠了4颗1Gb的NAND芯片实现了4Gb的容量。三星称这种芯片适用于新兴的3G移动电话和PDA,便携游戏机以及数码相机上。 据称该芯片的读写速率分别可以达到108MB/s和10MB/s。一个5兆象素的拍照手机可以利用它存储250帧连续拍摄的照片,或存储多达120个音乐文件。 (来源 慧聪网) |
相关技术资料
- 海尔空调制冷故障维..
- 2008-1-25
- 大尺寸TFT显示器..
- 2008-1-27
- 利用DC/DC转换..
- 2008-1-27
- 电动车铅酸蓄电池的..
- 2008-1-27
- 大型搅拌站自动配料..
- 2008-1-27
- 城市和工业污水处理..
- 2008-1-27
- 开关电源的数字控制..
- 2008-1-27
- 精密的智能电池使充..
- 2008-1-27
- 基于DSP控制的2..
- 2008-1-27
- 增强型运营商级多服..
- 2008-1-27
- 高效CCD数码相机..
- 2008-1-27
- Atheros 单..
- 2008-1-27
- Philips 推..
- 2008-1-27
- Fujitsu 数..
- 2008-1-27
- 如何给PCI卡选用..
- 2008-1-27
- A/D转换芯片的测..
- 2008-1-27
- 基于CTl技术的交..
- 2008-1-27
- MMIC和RFIC..
- 2008-1-27
- 利用皮弹服务器进行..
- 2008-1-27
- 白色发光二极管及其..
- 2008-1-27



