世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一、中国科学院院士、2001年度国家最高科学技术奖获得者，中国科学院半导体研究所名誉所长黄昆院士因病医治无效，于2005年7月6日16时18分在北京逝世，享年86岁。

　　黄昆院士，1919年9月出生于北京，1941年毕业于燕京大学物理系。1945年赴英国留学，1948年获英国布里斯托大学哲学博士学位，1949年—1951年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员，1951年—1977年在北京大学物理系任教授，1977年—1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983年至今，任名誉所长。1987年—1991年曾任中国物理学会理事长。他先后被选为中国科学院学部委员，瑞典皇家科学院外籍院士，第三世界科学院院士。

　　黄昆院士对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄散射”。他的多声子跃迁理论，以“黄—里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Born合著的《晶格动力学理论》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。他的理论对信息产业（特别是光电子产业）具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。近年来，他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统而富有成效的研究。从“黄散射”到“黄方程”，从“黄—里斯因子”到“玻恩和黄”，以至“黄—朱模型”，黄昆院士在固体物理学发展史上建树了一块块丰碑。