据海外最新消息，三星电子集团德克萨斯州Austin分部发言人Bill Cryer表示，公司地点选择委员会（site selection committee）已经推荐Austin做为耗资35亿美元的300毫米内存芯片制造工厂所在地。 Cryer称，该推荐并没有成为最终决定，这必须要等到三星股东大会做决定后才知道。三星股东大会预期将于数周后举行。 三星电子集团半导体部门首席执行官Hwang表示，目前三星在海外的芯片制造基地只有一座，也就是位于美国德克萨斯州Austin的工厂，该工厂主要用于DRAM芯片的生产。 三星电子集团在德克萨斯州Austin拥有一座1000雇员的200毫米DRAM内存芯片制造工厂，该工厂于1997年落成并于2004年扩建。如果三星股东大会同意所计划的300毫米内存芯片工厂，这将会产生700新岗位，新的内存芯片制造工厂的规模将与英特尔之前在Chandler发布的30亿美元制造工厂规模相似。 目前为止三星电子集团在已有德克萨斯州Austin工厂投入了16亿美元的资金。三星电子集团表示，新的内存芯片制造工厂计划招募700名雇员，其生产的300毫米内存芯片主要应用于个人电脑和手机等产品。 Cryer说：“假设三星股东大会同意计划，300毫米内存芯片工厂将于明年早些时候破土动工，并将在随后18个月内完工。” 当地及国家政府已经开出了多项优惠政策，以确保300毫米内存芯片工厂能够落户德克萨斯州Austin北部三星已存在内存芯片制造工厂地点，该地点还能够容纳数座建筑。 之前英特尔已经计划在亚里桑纳州建立制造工厂，也是考虑到了当地为芯片制造商提供的税收减免政策，相信对三星来说，这一系列优惠政策也拥有十足的吸引力。 Cryer拒绝详细说明地点选择过程，而只表示三星地点选择委员会（site selection committee）参观了数个地点。纽约州相信就是300毫米内存芯片工厂的竞争者之一，该州为三星电子集团提供了很多优惠政策，但德克萨斯州所提供的优惠政策更加丰厚。 是否提高德克萨斯州Austin工厂的产量也许将最终决定三星电子集团未来芯片市场的表现。不久之前，全球DRAM芯片以及NAND闪存芯片产品的整体价格全面下滑，在刚刚过去的第二季度中，三星电子集团的电脑内存芯片产品售价比上个季度足足下跌了20%。然而这一局面即将改变，未来的几个月中，将会迎来学生返校采购狂潮，届时电脑芯片以及闪存芯片的市场需求量必然会得以快速增长，并且最终反映到实际的产品售价方面，因此三星电子集团将会加大美国DRAM内存生产基地的产量，来抓住这一千载难逢的市场机遇。