意法半导体(ST)公司日前披露了一项技术，据称可大幅提高薄膜无源元件集成的结电容密度。 这项技术是在ST公司的IPAD技术上扩展的。可实现每平方米大于30毫微法的电容集成，这比当前的技术提高了50倍。 这项技术是以一些被称作“PZT Perovskites”的物质为基础。该物质是一种化合物，其中包括铅，锆，钛及氧，当锆和钛的比例不同时，物质的存在方式也不同。这种物质有极高的电容率，是二氧化硅的200倍。而且,这种物质在IPAD生产流程中的集成费用很低。 ST公司的IPAD技术可使大量的无源元件与有源器件，如ESD保护二级管，集成到单一结构中，实现过滤或保护功能。这包括了退耦和低频过滤需要的高性能电容。 ST公司说，由于可以去除现在采用的SMD封装和设计更短的PC板连接，从而减少寄生干扰，PZT技术可以获得更好的集成和频率性能。 ST公司己运用这一技术为一些客户生产了一些器件，并将在不久后向广大市场推出标准器件产品。