近日，研究人员在“国际电子器件会议”上表示，英特尔公司在利用硅之外的其它材料研制新型晶 晶体管方面已经取得了进展。 数十年来，硅一直是芯片生产中的基本物质。英特尔和其它芯片厂商一直在通过缩减晶体管尺寸提高芯片的性能，使芯片运行得更快，并集成有更多的功能。但是，随着晶体管的尺寸缩减到只有数个原子大小，为了保持芯片产业的发展速度，芯片产业一直在寻求制造晶体管的新方法。英特尔的技术分析师罗布说，有些新方法是在生产过程中引入新材料，从而无需仅仅依靠减小晶体管尺寸来提高芯片性能。 在近日宣读的一份论文中，英特尔的研究人员解释了二种元素━━铟和锑，是如何提高未来晶体管性能的。今年早些时候，英特尔首次公布了与英国QinetiQ公司联合开发的铟-锑晶体管原型产品。罗布说，英特尔已经减小了这种晶体管的尺寸，使得它更适合大规模制造。 罗布表示，在元素周期表中，硅元素位于第四族，铟位于第三族，锑位于第十五族。当使用这二种元素生产晶体管时，晶体管的速度将比传统硅晶体管快约50%，能耗却要低上10倍，因为铟-锑晶体管中的电子更容易流动。罗布说，通过用铟-锑化合物取代传统晶体管中的硅通道，英特尔已经制造出了铟-锑晶体管。 罗布说，英特尔希望在2015-2020年能够生产出采用铟-锑晶体管的芯片。