美国英特尔是手机闪存EEPROM的最大供应商。迄今为止，该公司凭借NOR型EEPROM的细微化及多值化，一直领先于业界、保持着强大的竞争力。关于该公司全力推进的NOR型EEPROM，以前就有传言说加工工艺水平已达极限，国内外半导体厂商正在竞相开发替代存储器。英特尔本身也在开发NOR型EEPROM的同时，大力开发相变化存储器“OUM”。日前记者就技术开发的最新情况，采访了英特尔负责非挥发性存储器等技术开发的Stefan K. Lai（Vice President，Technology & Mfg. Group，Director，California Technology & Mfg.，Communication Technology）。

     2004年以90nm工艺、2006年以65nm工艺量产 为了替代闪存EEPROM，FeRAM及MRAM等各种非挥发性存储器的开发正在顺利推进。但是，至少在今后5年内，在非挥发性存储器市场，NOR型闪存EEPROM及NAND型闪存EEPROM仍将是主流。关于本公司从事的NOR型闪存EEPROM，至少在2006年的65nm工艺之前“穆尔法则”仍将成立。非挥发性存储器的穆尔法则意味着在两年内将生产成本减半。本公司从2002年开始进行130nm工艺芯片的量产，计划在2004年及2006年，先后以90nm工艺和65nm工艺量产闪存EEPROM。至少在65nm工艺之前，确立了量产的目标。将生产技术向前推进一代的同时，减半生产成本。 45nm工艺也无需大幅改变存储单元 关于新一代的45nm工艺，预计可以原封不动地沿袭基本的存储单元结构。能够使用我们目前使用的存储单元结构“ETOX”。可能不需要像三维单元那样的特殊存储单元。但是，要想把生产成本控制在65nm工艺芯片的一半，必须导入各种新技术。比如，关于单元的绝缘膜，要么对现有的SiO2进行改进，要么采用新材料。 OUM的成本之高超过预想 之所以集中力量开发非挥发性存储器OUM技术，是因为从原理上可以较NOR型EEPROM更适合进行深次细微加工。但是，从迄今为止的试验和试制结果来看，OUM的生产成本远远超过我们当初的预想。众所周知，OUM的存储单元面积要比1bit/单元的普通NOR型EEPROM小。但是，如果以外部电路的面积比较，OUM要比NOR型EEPROM大。这是因为，与NOR型EEPROM相比，OUM在外部电路上需要更多的解码电路。原因是，在NOR型EEPROM中选择存储单元时使用晶体管，而OUM在选择存储单元时使用二极管。 需要超过多值闪存的成本竞争力 如上所述，存储单元面积和外部电路面积的增减相互抵消，OUM的生产成本可以控制在与1bit/单元NOR型EEPROM相仿的水平。但是，我们不会满足于此。必须拥有超过我们目前的主打商品——多值NOR型EEPROM“StrataFlash”的成本竞争力。为此，必须做出进一步的努力。 OUM的擦写次数为1010次 关于投入使用时的OUM芯片的规格，读取时间及写入时间应能够保持在与现有NOR型EEPROM相同的水平。OUM可擦写次数能达到1010次，远远高于NOR型EEPROM，。