通过开发新型存储单元，并将SRAM单元与DRAM电容器技术相结合，瑞萨科技公司(Renesas Technology)开发出了实际上没有软错误的SRAM，称作“superSRAM”。这种新型SRAM将投入商业性生产，并用于移动应用中的16M位小功率SRAM。 这种技术和产品的主要特性体现在： 很高的软错误容错性。与瑞萨科技先前的0.13 μm工艺16M位小功率SRAM(没有ECC电路)相比，软错误率大约减小了4个数位，这是通过在每个存储单元的存储节点上使用DRAM单元中使用的那种圆柱电容器来实现的。α射线辐射实验证实，这种产品首次实现了SRAM中没有由软错误引起的位错误。软错误容错率问题这一常规SRAM存在的基本问题，已经得到解决，可以实现更高可靠性、更高密度的SRAM。 在业界0.15μm工艺SRAM产品中，它具有最小的存储器元件尺寸。通过将使用TFT的RAM单元与DRAM电容器组合起来，开发出的新型单元，在业界0.15μm工艺SRAM产品中，具有最小的存储器元件尺寸：0.98 μm2。其单元尺寸，比瑞萨科技目前的基于CMOS 0.15μm工艺的SRAM小一半多。它可以大大减小芯片尺寸、使移动设备更小巧。

     另外，数据保持电流可以达到小于1μA。与使用DRAM存储单元的赝SRAM不同，新型SRAM单元不需要刷新操作。与赝SRAM相比，数据保持电流大约提高了2位数，用于更低功耗的移动应用。

     可以使用现有的0.15 μm工艺制造。不需要使用特殊的工艺，就可以实现更高的性能和更小的元件面积。可以使用现有的工艺技术制造，从而可以尽快地将产品投放市场。

     (转自 电子工程专辑)