瑞萨科技(Renesas Technology)公司近日开发出一种可减少软误码率的SRAM存储单元，与该公司以前的产品相比这种存储器同时还减小了单元尺寸和功耗。这种“SuperSRAM”适用于移动应用，其16Mb低功耗SRAM即将进行量产，同时32Mb容量的产品将于年内量产。 该存储器单元可用于制造高集成度的SRAM，瑞萨期望它能取代采用DRAM内核移动产品中的psuedo-SRAM。SRAM的静态特性可降低功耗，但SRAM的内部处理技术却由于软误码率而存在数据保持的问题。 该SuperSRAM采用两个位于其它晶体管之上的薄膜晶体管替代了两个负载MOS管，此外该SRAM还包括两个位于节点顶端的管形、DRAM型电容。这种存储器单元的尺寸为0.98平方微米，采用0.15um工艺制造，与CMOS工艺的SRAM相比，在存储节点使用的DRAM管形电容增加了电容量，同时还采用了防软误码的结构。 此外该存储器单元提供了大于1uA的数据保持电流。由于可采用现有的工艺，该产品得以快速面市。 （转自 北极星电技术网）