在2004年5月18日～5月21日于日本京都举办的UWB技术国际会议暨专题讨论会“UWBST＆IWUWBS 2004”上，德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）宣布采用0.13μm规格的CMOS技术试制成功了可生成3GHz～7GHz载波的频率合成器LSI。该频率合成器是多频带OFDM型UWB中RF电路的核心部分。设想应用于无线版USB“Wireless USB”。此次是英飞凌首次采用CMOS技术试制出可支持达7GHz高频的频率合成器。 该频率合成器可生成多频带OFDM载波、实现高速跳频,由英飞凌设计制造,工作电压为1.5V，耗电量为95mW。英飞凌将该芯片封装在信号收发板卡上，在3.3GHz～6.1GHz的范围内测定的输出功率为-8dBm～-17dBm. “此次之所以将上限设为6.1GHz，是因为仅靠手持的测量器不能测量高频”（英飞凌科技奥地利公司复合信号设计高级工程师Christoph Sandner）。 在UWBST＆IWUWBS 2004上，日本信息通信研究机构（NICT）和NEC、韩国三星尖端电子研究所（SAIT）和美国Staccato Communications，以及英飞凌3个小组分别就多频带OFDM频率合成器的研发情况做了相关展示和发表。在多频带OFDM型USB的相关开发中，频率合成器已成为一大竞争焦点。